Rochester Electronics, LLC CY62147EV30LL-55ZSXE
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CY62147EV30LL-55ZSXE
2071-CY62147EV30LL-55ZSXE
存储器
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
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STANDARD SRAM, 256KX16, 55NS
1最小包装量--
CY62147EV30LL-55ZSXE详情
Rochester Electronics, LLC CY62147EV30LL-55ZSXE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
引脚数
44
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~125°C TA
包装
Tube
系列
MoBL®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
44
端子表面处理
哑光锡
电压 - 供电
3V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
COMMERCIAL
内存大小
4Mb 256K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
记忆密度
4194304 bit
访问时间(最大)
55 ns
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
2.2V
长度
18.415mm
座位高度(最大)
1.194mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CY62147EV30LL-55ZSXE拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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