CY7C1069AV33-10BAC
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Rochester Electronics, LLC CY7C1069AV33-10BAC

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型号

CY7C1069AV33-10BAC

utmel 编号

2071-CY7C1069AV33-10BAC

商品类别

存储器

封装

60-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

STANDARD SRAM, 2MX8, 10NS

起订量

1最小包装量--

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CY7C1069AV33-10BAC
CY7C1069AV33-10BAC Rochester Electronics, LLC STANDARD SRAM, 2MX8, 10NS

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CY7C1069AV33-10BAC详情

Rochester Electronics, LLC CY7C1069AV33-10BAC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    60-TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    60

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 电压 - 供电

    3V~3.6V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    0.75mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    60

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B60

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3V

  • 内存大小

    16Mb 2M x 8

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    2MX8

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    10ns

  • 记忆密度

    16777216 bit

  • 访问时间(最大)

    10 ns

  • 长度

    20mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 宽度

    8mm

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: Rochester Electronics, LLC CY7C1069AV33-10BAC.

CY7C1069AV33-10BAC拓展信息

MD2764A-35/B
MD2764A-35/B

Rochester Electronics, LLC

AM27C512-150JI
AM27C512-150JI

Rochester Electronics, LLC

AM27C010-150DI
AM27C010-150DI

Rochester Electronics, LLC

NMC27C16BQ150
NMC27C16BQ150

Rochester Electronics

AM27C256-55PC
AM27C256-55PC

Rochester Electronics, LLC

X28C513J-12
X28C513J-12

Rochester Electronics

DS1220Y-120
DS1220Y-120

Rochester Electronics, LLC

CY7C199-12VIT
CY7C199-12VIT

Rochester Electronics

AM27C010-55DI
AM27C010-55DI

Rochester Electronics, LLC

MD2148H/BVA
MD2148H/BVA

Rochester Electronics, LLC

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