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'cy7c1314bv18250bzc'

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

Current - Supply (Nom)

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

附加功能

技术

电压 - 供电

端子位置

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

JESD-30代码

功能

资历状况

内存大小

端口的数量

输出配置

输出电流

时钟频率

访问时间

内存格式

内存接口

组织结构

输出特性

内存宽度

写入周期时间 - 字符、页面

地址总线宽度

密度

记忆密度

访问时间(最大)

I/O类型

同步/异步

字长

待机电压-最小值

电压 - 供电 (最大值)

电压 - 供电 (最小值)

控制电压

组织的记忆

座位高度(最大)

长度

宽度

RoHS状态

CY7C1314BV18-250BZC
CY7C1314BV18-250BZC
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

165-LBGA

YES

165

Volatile

Commercial grade

0°C~70°C TA

Tray

e0

no

Obsolete

3 (168 Hours)

165

锡铅

流水线结构

1.8V

BOTTOM

220

1

1mm

unknown

未说明

R-PBGA-B165

COMMERCIAL

18Mb 512K x 36

250MHz

SRAM

Parallel

512KX36

36

18874368 bit

0.45 ns

1.9V

1.7V

1.4mm

15mm

13mm

Non-RoHS Compliant

CY7C1314BV18-250BZC
CY7C1314BV18-250BZC
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

165-LBGA

165-FBGA (13x15)

CP16S2B0B1D1

UL

Warrick a Brand of Gems Sensor

Tray

CY7C1314

Infineon Technologies

Obsolete

Volatile

0°C ~ 70°C (TA)

-

SRAM - Synchronous, QDR II

1.7V ~ 1.9V

Solenoid Valve Fill

18Mbit

SPST

10 A

250 MHz

SRAM

Parallel

-

120 VAC

512K x 36

CY7C1314BV18-250BZC
CY7C1314BV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

165-LBGA

165

900mA

Volatile

0°C~70°C TA

Tray

2003

e0

Obsolete

3 (168 Hours)

165

Tin/Lead (Sn/Pb)

流水线结构

1.8V

BOTTOM

220

1

1mm

not_compliant

未说明

CY7C1314

不合格

18Mb 512K x 36

2

250MHz

450 ps

SRAM

Parallel

3-STATE

36

18b

18 Mb

SEPARATE

Synchronous

36b

1.7V

1.9V

1.7V

1.4mm

15mm

Non-RoHS Compliant