Rochester Electronics, LLC CY7C1315BV18-250BZC
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CY7C1315BV18-250BZC
2071-CY7C1315BV18-250BZC
存储器
165-LBGA
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QDR SRAM, 512KX36, 0.45NS
1最小包装量--
CY7C1315BV18-250BZC详情
Rochester Electronics, LLC CY7C1315BV18-250BZC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
端子表面处理
锡铅
附加功能
流水线结构
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
220
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
18Mb 512K x 36
时钟频率
250MHz
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX36
内存宽度
36
记忆密度
18874368 bit
访问时间(最大)
0.45 ns
长度
15mm
座位高度(最大)
1.4mm
宽度
13mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
CY7C1315BV18-250BZC拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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