Rochester Electronics, LLC CY7C197N-25PXC
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CY7C197N-25PXC
2071-CY7C197N-25PXC
存储器
24-DIP (0.300, 7.62mm)
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STANDARD SRAM, 256KX1, 25NS
1最小包装量--
CY7C197N-25PXC详情
Rochester Electronics, LLC CY7C197N-25PXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
24-DIP (0.300, 7.62mm)
表面安装
NO
安装类型
通孔
引脚数
24
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
24
端子表面处理
TIN
电压 - 供电
5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
2.54mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
JESD-30代码
R-PDIP-T24
资历状况
COMMERCIAL
内存大小
256Kb 256K x 1
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX1
内存宽度
1
写入周期时间 - 字符、页面
25ns
记忆密度
262144 bit
访问时间(最大)
25 ns
电压 - 供电 (最大值)
5.5V
电压 - 供电 (最小值)
4.5V
座位高度(最大)
4.826mm
宽度
7.62mm
长度
31.75mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CY7C197N-25PXC拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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