Rochester Electronics, LLC CYD09S36V18-200BBXI
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CYD09S36V18-200BBXI
2071-CYD09S36V18-200BBXI
存储器
256-LBGA
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DUAL-PORT SRAM, 256KX36, 3.3NS
1最小包装量--
CYD09S36V18-200BBXI详情
Rochester Electronics, LLC CYD09S36V18-200BBXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
256-LBGA
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
256
端子表面处理
锡银铜
附加功能
PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE, IT CAN ALSO OPERATES AT 1.8V
电压 - 供电
1.42V~1.58V 1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.5V
端子间距
1mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
256
JESD-30代码
S-PBGA-B256
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
1.58V
电源电压-最小值(Vsup)
1.42V
内存大小
9Mb 256K x 36
时钟频率
200MHz
访问时间
3.3ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX36
内存宽度
36
记忆密度
9437184 bit
座位高度(最大)
1.7mm
宽度
17mm
长度
17mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CYD09S36V18-200BBXI拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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