Rochester Electronics, LLC CYDMX064A16-65BVXI
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CYDMX064A16-65BVXI
2071-CYDMX064A16-65BVXI
存储器
100-VFBGA
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DUAL-PORT SRAM, 4KX16, 65NS
1最小包装量--
CYDMX064A16-65BVXI详情
Rochester Electronics, LLC CYDMX064A16-65BVXI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
100-VFBGA
表面安装
YES
引脚数
100
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
100
附加功能
IT CAN OPERATE ALSO 2.5 AND 3.3 VOLT
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.5mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-PBGA-B100
资历状况
COMMERCIAL
内存大小
64Kb 4K x 16
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
4KX16
写入周期时间 - 字符、页面
65ns
记忆密度
65536 bit
访问时间(最大)
65 ns
电压 - 供电 (最大值)
1.9V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
长度
6mm
座位高度(最大)
1mm
宽度
6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CYDMX064A16-65BVXI拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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