Rochester Electronics, LLC DS1245W-100
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DS1245W-100
2071-DS1245W-100
存储器
32-DIP Module (0.600, 15.24mm)
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DS1245 3.3V 1024K NV SRAM
1最小包装量--
DS1245W-100详情
Rochester Electronics, LLC DS1245W-100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
32-DIP Module (0.600, 15.24mm)
表面安装
NO
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tube
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
32
端子表面处理
锡铅
附加功能
10 YEAR DATA RETENTION
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
3.3V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
32
JESD-30代码
R-XDMA-P32
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
1Mb 128K x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
记忆密度
1048576 bit
访问时间(最大)
100 ns
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
DS1245W-100拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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