Rochester Electronics, LLC DS1249AB-100
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DS1249AB-100
2071-DS1249AB-100
存储器
32-DIP Module (0.600, 15.24mm)
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DS1249 3.3V 2048 KBIT NV SRAM
1最小包装量--
DS1249AB-100详情
Rochester Electronics, LLC DS1249AB-100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
包装/外壳
32-DIP Module (0.600, 15.24mm)
安装类型
通孔
Memory Types
Non-Volatile
包装
Tube
操作温度
0°C~70°C TA
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
32
端子表面处理
锡铅
附加功能
10 YEAR DATA RETENTION
电压 - 供电
4.75V~5.25V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
2.54mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
32
JESD-30代码
R-XDMA-P32
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
5.25V
电源电压-最小值(Vsup)
4.75V
内存大小
2Mb 256K x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
记忆密度
2097152 bit
访问时间(最大)
100 ns
宽度
15.24mm
座位高度(最大)
10.29mm
长度
53.085mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
DS1249AB-100拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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