Rochester Electronics, LLC DS1258W-100#
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DS1258W-100#
2071-DS1258W-100#
存储器
40-DIP Module (0.610, 15.495mm)
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DS1258 3.3V 128K X 16 NV SRAM
1最小包装量--
DS1258W-100#详情
Rochester Electronics, LLC DS1258W-100#重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
40-DIP Module (0.610, 15.495mm)
表面安装
NO
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
40
端子表面处理
哑光锡
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3.3V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
40
JESD-30代码
R-XDMA-P40
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
2Mb 128K x 16
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
记忆密度
2097152 bit
访问时间(最大)
100 ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DS1258W-100#拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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