Rochester Electronics, LLC DS2016-150
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DS2016-150
2071-DS2016-150
存储器
24-DIP (0.600, 15.24mm)
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2K X 8 3V/5V OPERATION SRAM
1最小包装量--
DS2016-150详情
Rochester Electronics, LLC DS2016-150重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
24-DIP (0.600, 15.24mm)
表面安装
NO
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
24
端子表面处理
锡铅
附加功能
ALSO OPERATES WITH 4.5V TO 5.5V SUPPLY
电压 - 供电
2.7V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
2.54mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
20
引脚数量
24
JESD-30代码
R-PDIP-T24
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.5V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
16Kb 2K x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
150ns
记忆密度
16384 bit
访问时间(最大)
250 ns
长度
31.75mm
座位高度(最大)
5.08mm
宽度
15.24mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
DS2016-150拓展信息
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
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Rochester Electronics
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