Rochester Electronics, LLC DS2016R-100
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DS2016R-100
2071-DS2016R-100
存储器
24-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
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2K X 8 3V/5V OPERATION SRAM
1最小包装量--
DS2016R-100 详情
Rochester Electronics, LLC DS2016R-100 重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
24-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
24
端子表面处理
哑光锡
附加功能
IT CAN ALSO OPERATES AT 3V
电压 - 供电
2.7V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
24
JESD-30代码
R-PDSO-G24
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源电压-最小值(Vsup)
4.5V
内存大小
16Kb 2K x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
2KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
记忆密度
16384 bit
访问时间(最大)
100 ns
长度
17.9mm
座位高度(最大)
2.67mm
宽度
7.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DS2016R-100 拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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