Rochester Electronics, LLC DS2065W-100#
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DS2065W-100#
2071-DS2065W-100#
存储器
256-BGA
大陆
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SINGLE-PIECE 8MBIT NV SRAM
1最小包装量--
DS2065W-100#详情
Rochester Electronics, LLC DS2065W-100#重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
256-BGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
256
端子表面处理
锡银铜
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
256
JESD-30代码
S-PBGA-B256
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
8Mb 1M x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
记忆密度
8388608 bit
访问时间(最大)
100 ns
长度
27mm
座位高度(最大)
8.72mm
宽度
27mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DS2065W-100#拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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