Rochester Electronics, LLC DS3170N

安装类型

表面贴装

包装/外壳

100-LBGA, CSBGA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~85°C

包装

Tray

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

端子表面处理

镍钯金

电压 - 供电

3.135V~3.465V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G8

功能

Single-Chip Transceiver

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

界面

DS3, E3

电路数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

电流源

120mA

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.026Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

雪崩能量等级（Eas）

360 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

Non-RoHS Compliant