Rochester Electronics, LLC FDM3300NZ
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FDM3300NZ
2071-FDM3300NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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FDM3300NZ详情
Rochester Electronics, LLC FDM3300NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
包装/外壳
8-PowerVDFN
安装类型
表面贴装
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A
Number of Elements
2
系列
PowerTrench®
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子表面处理
未说明
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
COMMERCIAL
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
900mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 10A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1610pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10A
漏极-源极导通最大电阻
0.023Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40A
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDM3300NZ拓展信息
Rochester Electronics
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Rochester Electronics, LLC
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