Rochester Electronics, LLC FDQ7238AS
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FDQ7238AS
2071-FDQ7238AS
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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FDQ7238AS详情
Rochester Electronics, LLC FDQ7238AS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A 11A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
11
端子表面处理
哑光锡
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
14/11
JESD-30代码
R-PDSO-G11
资历状况
COMMERCIAL
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
1.3W 1.1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.2m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
920pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
11A
漏极-源极导通最大电阻
0.0132Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDQ7238AS拓展信息
Rochester Electronics
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