Rochester Electronics, LLC FDW2504P
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FDW2504P
2071-FDW2504P
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
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FDW2504P详情
Rochester Electronics, LLC FDW2504P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.8A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
HTS代码
8541.29.00.95
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
600mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
43m Ω @ 3.8A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1030pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
JEDEC-95代码
MO-153AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.8A
漏极-源极导通最大电阻
0.043Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDW2504P拓展信息
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics, LLC
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