Rochester Electronics, LLC FDZ2553NZ
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FDZ2553NZ
2071-FDZ2553NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
18-WFBGA
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N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
FDZ2553NZ详情
Rochester Electronics, LLC FDZ2553NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
18-WFBGA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.6A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
18
端子表面处理
锡银
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
18
JESD-30代码
R-PBGA-B18
资历状况
COMMERCIAL
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
2.1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 9.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1240pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9.6A
漏极-源极导通最大电阻
0.014Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20A
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
FDZ2553NZ拓展信息
Rochester Electronics
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