Rochester Electronics, LLC FJP3835TU
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FJP3835TU
2071-FJP3835TU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
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POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
1最小包装量--
FJP3835TU详情
Rochester Electronics, LLC FJP3835TU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
8A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
SINGLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
功率 - 最大
50W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 3A 4V
最大集极截止电流
100μA ICBO
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 300mA, 3A
电压 - 集射极击穿(最大值)
120V
转换频率
30MHz
频率转换
30MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FJP3835TU拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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