Rochester Electronics, LLC FJV4110RMTF
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FJV4110RMTF
2071-FJV4110RMTF
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
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FJV4110RMTF详情
Rochester Electronics, LLC FJV4110RMTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
哑光锡
附加功能
内置偏置电阻
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
200mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
转换频率
200MHz
频率转换
200MHz
电阻基(R1)
10 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FJV4110RMTF拓展信息
Rochester Electronics
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