Rochester Electronics, LLC HGT1S7N60A4DS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

34A

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 7A, 25 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

哑光锡

附加功能

低导通损耗

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

125W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

反向恢复时间

34ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

接通时间

17 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 7A

关断时间-标准值（toff)

205 ns

闸门收费

37nC

集极脉冲电流（Icm）

56A

Td（开/关）@25°C

11ns/100ns

开关能量

55μJ (on), 60μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant