Rochester Electronics, LLC HGTP7N60B3D
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HGTP7N60B3D
2071-HGTP7N60B3D
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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N-CHANNEL IGBT
1最小包装量--
HGTP7N60B3D详情
Rochester Electronics, LLC HGTP7N60B3D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
14A
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 7A, 50 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
3
端子表面处理
哑光锡
附加功能
低导通损耗
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT APPLICABLE
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
60W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
反向恢复时间
37ns
JEDEC-95代码
TO-220AB
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
接通时间
46 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 7A
关断时间-标准值(toff)
350 ns
闸门收费
23nC
集极脉冲电流(Icm)
56A
Td(开/关)@25°C
26ns/130ns
开关能量
160μJ (on), 120μJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
HGTP7N60B3D拓展信息
Rochester Electronics
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