Rochester Electronics, LLC HIP2100IR4Z
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HIP2100IR4Z
2071-HIP2100IR4Z
PMIC - 栅极驱动器
12-VFDFN Exposed Pad
大陆
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HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
1最小包装量--
HIP2100IR4Z详情
Rochester Electronics, LLC HIP2100IR4Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
12-VFDFN Exposed Pad
表面安装
YES
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
4V 7V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
12
端子表面处理
哑光锡
电压 - 供电
9V~14V
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
12V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
12
资历状况
COMMERCIAL
输入类型
Non-Inverting
上升/下降时间(Typ)
10ns 10ns
信道型
Independent
驱动器数量
2
接通时间
0.045 µs
输出峰值电流限制-名
2A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
2A 2A
高边驱动器
YES
关断时间
0.045 µs
高压侧电压-最大值(自举)
114V
长度
4mm
座位高度(最大)
0.9mm
宽度
4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
HIP2100IR4Z拓展信息
Rochester Electronics
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