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ROCHESTER ELECTRONICS LLC HUF75309D3
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HUF75309D3
2071-HUF75309D3
无类别的
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HUF75309D3详情
ROCHESTER ELECTRONICS LLC HUF75309D3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
17A
漏极-源极导通最大电阻
0.07Ohm
DS 击穿电压-最小值
55V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
HUF75309D3拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。