ROCHESTER ELECTRONICS LLC HUF76113SK8

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

端子表面处理

未说明

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.041Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR