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'huf76629d3s'

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category.单MOSFET晶体管 (11)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	质量	终端数量	晶体管元件材料							厂商													Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	电阻	端子表面处理	电压 - 额定直流	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	电压	元素配置	电流	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	DS 击穿电压-最小值	场效应管技术	场效应管特性	辐射硬化	达到SVHC	RoHS状态	无铅
		HUF76629D3S	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	YES	SILICON				20A Tc	4.5V 10V	1	110W Tc					3V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube	UltraFET™	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	2			哑光锡			SINGLE	鸥翼	NOT APPLICABLE		NOT APPLICABLE	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE				增强型MOSFET		DRAIN		N-Channel	SWITCHING	52m Ω @ 20A, 10V	1.285pF @ 25V	46nC @ 10V		100V	±16V				TO-252AA		20A	0.055Ohm		100V					ROHS3 Compliant
		HUF76629D3S	Intersil	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES		2	SILICON	小概要	NOT APPLICABLE	PLASTIC/EPOXY	NOT APPLICABLE	HUF76629D3S	RECTANGULAR		Rochester Electronics LLC	1	活跃	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	5.15	20 A											e3	有						哑光锡			SINGLE	鸥翼	NOT APPLICABLE			R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE				增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING							N-CHANNEL			TO-252AA			0.055 Ω		100 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR			unknown
		HUF76629D3S	HARRIS	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	Harris Corporation							Tube	20A (Tc)	4.5V, 10V	110W (Tc)	Obsolete		3V @ 250µA	-55°C ~ 175°C (TJ)		UltraFET™										MOSFET (Metal Oxide)																N-Channel		52mOhm @ 20A, 10V	1285 pF @ 25 V	46 nC @ 10 V		100 V	±16V											-
		HUF76629D3S	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	3	SILICON				20A Tc	4.5V 10V	1	110W Tc	67 ns				3V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube	UltraFET™	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99		Tin (Sn)	100V			鸥翼	未说明	20A	未说明	R-PSSO-G2	不合格		100V	Single	20A	增强型MOSFET	110W	DRAIN		N-Channel	SWITCHING	52m Ω @ 20A, 10V	1285pF @ 25V	46nC @ 10V	28ns		±16V		60 ns	20A	TO-252AA	16V		0.055Ohm	100V						符合RoHS标准	无铅
		HUF76629D3S	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252AA	Fairchild Semiconductor					Tube	20A (Tc)	110W (Tc)	Obsolete				3V @ 250µA	-55°C ~ 175°C (TJ)		UltraFET™										MOSFET (Metal Oxide)																N-Channel		52mOhm @ 20A, 10V	1285 pF @ 25 V	46 nC @ 10 V		100 V	±16V											-
		HUF76629D3ST	Aptina	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
		HUF76629D3ST	ON Semiconductor	数据表	664 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		8 Weeks	表面贴装	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	3	260.37mg	SILICON	4.5V 10V	67 ns	110W Tc	1					20A Tc	3V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	UltraFET™	e3	yes	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	54mOhm	Tin (Sn)	100V			鸥翼		20A		R-PSSO-G2				Single		增强型MOSFET	110W	DRAIN	6.8 ns	N-Channel	SWITCHING	52m Ω @ 20A, 10V	1285pF @ 25V	46nC @ 10V	28ns		±16V		60 ns	20A	TO-252AA	16V			100V				无		ROHS3 Compliant	无铅
		HUF76629D3ST_NL	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		YES		2	SILICON	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	未说明	HUF76629D3ST_NL	RECTANGULAR		Rochester Electronics LLC	1	活跃	ROCHESTER ELECTRONICS LLC	5.15	20 A											e3	有						哑光锡			SINGLE	鸥翼	260			R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE				增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING							N-CHANNEL			TO-252AA			0.055 Ω		100 V	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR			unknown
		HUF76629D3STF085	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
		HUF76629D3STR4885	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	Fairchild Semiconductor							活跃	150W (Tj)	4.5V, 10V	20A (Tc)	Bulk		3V @ 250µA	-55°C ~ 175°C (TJ)		UltraFET®										MOSFET (Metal Oxide)																N-Channel		52mOhm @ 20A, 10V	1285 pF @ 25 V	43 nC @ 10 V		100 V	±16V											-
		HUF76629D3ST-F085	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	3	260.36202mg	SILICON		20A Tc	4.5V 10V	1	38 ns	150W Tc					3V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™	e3		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99		哑光锡				鸥翼	260		30	R-PSSO-G2				Single		增强型MOSFET		DRAIN	5.9 ns	N-Channel	SWITCHING	52m Ω @ 20A, 10V	1280pF @ 25V	43nC @ 10V	12ns		±16V		5 ns	20A		16V			100V						符合RoHS标准