ROCHESTER ELECTRONICS LLC HUFA76413DK8

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

端子表面处理

未说明

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.049Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

260 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR