ROCHESTER ELECTRONICS LLC IPD30N06S3-24

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

端子表面处理

哑光锡

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30A

漏极-源极导通最大电阻

0.024Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR