Rochester Electronics, LLC IRF9910PBF
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IRF9910PBF
2071-IRF9910PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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IRF9910PBF详情
Rochester Electronics, LLC IRF9910PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A 12A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.55V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRF9910PBF拓展信息
Rochester Electronics
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Rochester Electronics, LLC
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