Rochester Electronics, LLC KSC2669OBU

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2mA 12V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant