Rochester Electronics, LLC KSD261GBU
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KSD261GBU
2071-KSD261GBU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
1最小包装量--
KSD261GBU详情
Rochester Electronics, LLC KSD261GBU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供应商器件包装
TO-92-3
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
500mW
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
KSD261GBU拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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