Rochester Electronics, LLC KSE13003TH2ATU
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KSE13003TH2ATU
2071-KSE13003TH2ATU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
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POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
1最小包装量--
KSE13003TH2ATU详情
Rochester Electronics, LLC KSE13003TH2ATU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
1.5A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT APPLICABLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
功率 - 最大
20W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
14 @ 500mA 2V
JEDEC-95代码
TO-126
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 500mA, 1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
400V
转换频率
4MHz
频率转换
4MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
KSE13003TH2ATU拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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