Rochester Electronics, LLC MBT35200MT1
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MBT35200MT1
2071-MBT35200MT1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-23-6
大陆
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
1最小包装量--
MBT35200MT1详情
Rochester Electronics, LLC MBT35200MT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
供应商器件包装
6-TSOP
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
625mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1.5A 1.5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
310mV @ 20mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
35V
频率转换
100MHz
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
MBT35200MT1拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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