Rochester Electronics, LLC MJD200T4
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MJD200T4
2071-MJD200T4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
1最小包装量--
MJD200T4详情
Rochester Electronics, LLC MJD200T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
12.5W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
45 @ 2A 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
25V
转换频率
65MHz
频率转换
65MHz
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
MJD200T4拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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