Rochester Electronics, LLC MJD2955-1G
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MJD2955-1G
2071-MJD2955-1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
1最小包装量--
MJD2955-1G详情
Rochester Electronics, LLC MJD2955-1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件包装
I-PAK
Current-Collector (Ic) (Max)
10A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
1.75W
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 4A 4V
最大集极截止电流
50μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
8V @ 3.3A, 10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
2MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MJD2955-1G拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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