Rochester Electronics, LLC MJD5731T4
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MJD5731T4
2071-MJD5731T4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
1最小包装量--
MJD5731T4详情
Rochester Electronics, LLC MJD5731T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
DPAK
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
1.56W
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 300mA 10V
最大集极截止电流
100μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 200mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
350V
频率转换
10MHz
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
MJD5731T4拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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