Rochester Electronics, LLC MMBTA14LT1
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MMBTA14LT1
2071-MMBTA14LT1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANSISTOR NPN DARL 30V 0.3A
1最小包装量--
MMBTA14LT1详情
Rochester Electronics, LLC MMBTA14LT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
300mA
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
功率 - 最大
225mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Darlington
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10000 @ 10mA 5V
JEDEC-95代码
TO-236AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 100μA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
转换频率
125MHz
频率转换
125MHz
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
MMBTA14LT1拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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