Rochester Electronics, LLC MMBTH10

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

附加功能

低噪音

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

功率 - 最大

225mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 4mA 10V

电压 - 集射极击穿（最大值）

25V

转换频率

650MHz

频率转换

650MHz

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

0.7pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant