Rochester Electronics, LLC MMBV105GLT1G
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MMBV105GLT1G
2071-MMBV105GLT1G
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1最小包装量--
MMBV105GLT1G详情
Rochester Electronics, LLC MMBV105GLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
0.225W
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
哑光锡
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
二极管类型
Single
JEDEC-95代码
TO-236AB
电容@Vr, F
2.8pF @ 25V 1MHz
电压 - 峰值反向(最大值)
30V
击穿电压-最小值
30V
频带
超高频
二极管电容-标称
2.15pF
电容比
6.5
电容比环境
C3/C25
二极管容差
30.23%
最小品质因数
250
Q@Vr,F
250 @ 3V, 50MHz
可变电容二极管分类
HYPERABRUPT
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MMBV105GLT1G拓展信息
Rochester Electronics
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Rochester Electronics, LLC
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