Rochester Electronics LLC NDT3055L
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NDT3055L
2071-NDT3055L
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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4A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
1最小包装量--
NDT3055L详情
Rochester Electronics LLC NDT3055L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Drain Current-Max (ID)
4 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
25 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
NDT3055L拓展信息
Rochester Electronics LLC
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