Rochester Electronics, LLC NJL21193DG

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-5

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

16A

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

TIN

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSFM-T5

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

功率 - 最大

200W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 8A 5V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 3.2A, 16A

电压 - 集射极击穿（最大值）

250V

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant