Rochester Electronics, LLC NJL4281DG
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NJL4281DG
2071-NJL4281DG
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-264-5
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POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
1最小包装量--
NJL4281DG详情
Rochester Electronics, LLC NJL4281DG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-264-5
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
15A
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子表面处理
哑光锡
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PSFM-T5
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
功率 - 最大
230W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN + Diode (Isolated)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5A 5V
最大集极截止电流
100μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 800mA, 8A
电压 - 集射极击穿(最大值)
350V
转换频率
35MHz
频率转换
35MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NJL4281DG拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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