Rochester Electronics, LLC NTHD4P02FT1
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NTHD4P02FT1
2071-NTHD4P02FT1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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P-CHANNEL POWER MOSFET
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NTHD4P02FT1详情
Rochester Electronics, LLC NTHD4P02FT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
JESD-609代码
e0
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
锡铅
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.155Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
9A
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
NTHD4P02FT1拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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