Rochester Electronics, LLC NTJD4401NT1
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NTJD4401NT1
2071-NTJD4401NT1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
1最小包装量--
NTJD4401NT1详情
Rochester Electronics, LLC NTJD4401NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
630mA
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
锡铅
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
270mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
375m Ω @ 630mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
46pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.63A
漏极-源极导通最大电阻
0.375Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
NTJD4401NT1拓展信息
Rochester Electronics
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