Rochester Electronics, LLC NTL4502NT1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

16-PowerQFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.4A

Number of Elements

4

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

16

端子表面处理

锡铅

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

16

JESD-30代码

S-XQCC-N16

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

1.7W

场效应管类型

4 N-Channel (H-Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1605pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

24V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.013Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32A

DS 击穿电压-最小值

24V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant