Rochester Electronics, LLC NTLGD3502NT1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A 3.6A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

哑光锡

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

JESD-30代码

S-PDSO-N6

资历状况

COMMERCIAL

配置

SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

1.74W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 4.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

480pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.06Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

17.2A

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant