Rochester Electronics, LLC NTLJD2105LTBG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

哑光锡

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

265

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

JESD-30代码

S-PDSO-C6

资历状况

COMMERCIAL

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

520mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

漏源电压 (Vdss)

8V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

DS 击穿电压-最小值

8V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant