Rochester Electronics, LLC NTLJD3115PTAG
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NTLJD3115PTAG
2071-NTLJD3115PTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-WDFN Exposed Pad
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P-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
NTLJD3115PTAG详情
Rochester Electronics, LLC NTLJD3115PTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
供应商器件包装
6-WDFN (2x2)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.3A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
710mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
531pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.2nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NTLJD3115PTAG拓展信息
Rochester Electronics
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Rochester Electronics, LLC
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