Rochester Electronics, LLC NTLJD3183CZTBG
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NTLJD3183CZTBG
2071-NTLJD3183CZTBG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-WDFN Exposed Pad
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SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
1最小包装量--
NTLJD3183CZTBG详情
Rochester Electronics, LLC NTLJD3183CZTBG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.6A 2.2A
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
TIN
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
JESD-30代码
S-PDSO-N6
资历状况
COMMERCIAL
功率 - 最大
710mW
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
68m Ω @ 2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
355pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NTLJD3183CZTBG拓展信息
Rochester Electronics
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Rochester Electronics, LLC
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