Rochester Electronics, LLC NTZD3156CT1G
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NTZD3156CT1G
2071-NTZD3156CT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-563, SOT-666
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SMALL SIGNAL N AND P-CH MOSFET
1最小包装量--
NTZD3156CT1G详情
Rochester Electronics, LLC NTZD3156CT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
SOT-563
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
540mA 430mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
250mW
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
550mOhm @ 540mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
72pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NTZD3156CT1G拓展信息
Rochester Electronics
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Rochester Electronics, LLC
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